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5月5日消息，全球主要的两种存储芯片中，NAND闪存已经进入3D时代，容量比2D时代大幅提升，DRAM内存还停留在2D，现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。

NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3D X-DRAM又号称全球首款类3D NAND的内存技术，将内存带入3D时代，要做内存行业的游戏规则改变者。

3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。

NEO公司承诺，2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈，核心容量128Gb，而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb，实现了8倍容量。

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