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5月8日消息,NAND闪存进入3D时代之后,提高容量的方式主要靠堆栈层数了,2022年几大原厂已将层数提升到232层以上,再下一个目标就是超过300层,而且要继续提高性能,西数、铠侠就公布了相关信息。
在2023年的VLSI集成电路会议上,他们将发布最新的研究论文,介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。
相比当前的4平面3D闪存,8平面结构可以增加并行性,他们开发出的1Tb 3D TLC闪存有210个有源层,IO接口速度达到了3.2GT/s,跟3月份推出的218层堆栈1Tb 3D TLC闪存非常相似。
这样的结构明显提升了TLC闪存的性能,读取延迟从128层堆栈闪存的56us减少到了40us,速度提升到了205MB/s,差不多能跟当前的机械硬盘一拼了,后者通常的速度在200到250MB/s左右。
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