作为全球 NAND 闪存市场的一哥，三星在 3D 闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代 V-NAND 的细节，堆栈层数超过 200 层，容量可达 1Tbit ， 512GB 容量的厚度也只有 0.8mm ，可用于手机。

三星的 V-NAND 闪存现在演员发展到了第七代 V-NAND V7 ，堆栈层数 176 层， TLC 版核心容量 512Gbit ， 而即将推出的 V-NAND V8 层数将超过 200 ——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是 228 层，提升 30% 左右，存储密度提升了 40% 左右。

V-NAND V8 闪存的单颗核心容量也从之前的 512Gbit 翻倍到了 1Tbit ，同时性能也更强， IO 接口速率从 2Gbps 提升到了 2.4Gbps ，性能更适配最新的 PCIe 5.0 标准。

得益于存储容量更大 . V-NAND V8 闪存的厚度依然可以控制在合理水平， 封装 512GB 容量也不超过 0.8mm ，可以用于新一代智能手机。

在未来，三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过 500 层，这被视为 3D 闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。

【来源：快科技】【作者：宪瑞】