2021 年闪存逐渐从 96 层过渡到了 128 层为主,再往下就是 170 层到 200 层的了,每家闪存厂商的方案都有所不同,西数将在明年底量产 BiCS6 代 3D 闪存,堆栈层数提升到 162 ,而且接口速度翻倍。
在闪存市场上,西数跟东芝是合作研发、生产的, BiCS 技术其实主要是来自东芝,目前量产的主力是 BiCS5 , 2019 年 2 月份发布,堆栈层数 112 层,核心容量 512Gbit ,接口速度 1.066Gbps 。
BiCS6 闪存是下一代产品,堆栈层数最终确定为 162 层,而非之前所说的 170+ 层,核心容量也提升到了 1Tbit , 另外就是接口速度也将达到 2.0Gbps ,相比上代翻倍,不过距离三星最新的 8 代 V-NAND 闪存的 2.4Gbps 还有点距离。
根据西数的计划, BiCS6 闪存将从明年初开始生产, 但真正大规模量产要到 2022 年底了 ,现在的 BiCS5 闪存还要过渡至少一年。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】